多晶硅的回收再利用方法

1、重熔方法

重熔是一种常见的多晶硅回收再利用方法。废弃的多晶硅和晶圆经高温处理后加热至熔点以上，然后冷却成新的晶体。该方法可实现废多晶硅和晶圆的高效再利用，减少资源浪费。

2、气相沉积法

气相沉积是利用氢气还原二氧化硅制备多晶硅的一种方法。其原理是将气态硅源与氢气在高温下混合，产生多晶硅粉末，然后压缩成新的多晶硅。该方法适用于废多晶硅和多晶硅采购原料的合并再生。

3、化学再生法

化学再生是一种溶解和重新晶化废多晶硅和硅碎片的方法。其原理是将废多晶硅与一定比例的化学试剂混合，将有害物质转化为可再生硅粉。该方法适用于回收大量废弃多晶硅。

硅锗合金的介绍

锗硅是锗硅固溶体，由锗和硅形成的溶解度无限的替位固溶体。又称锗硅合金。分为无定形、结晶型和超晶格三种。无定形锗硅固溶体主要用作太阳能电池，其转换效率为14.4%(理论值为20%)。结晶锗硅固溶体分为单晶和多晶，主要用作温差电、红外和核辐射探测器。锗硅固溶体是一种高温材料，热端温度可达1000~1100℃，效率高(可达10%)、航天系统常用于温差发电器，具有强度高、热稳定性好、抗辐射、重量轻等优点。超晶格是一种新型材料。它是由两种不同的半导体薄层交替排列组成的周期阵列，通过在晶体衬底上层层生长两种不同的半导体材料薄膜获得。可用作弹道晶体管、高电子迁移率晶体管、光电导探测器、集成光电子器件等半导体光电子材料。(图为锗硅固溶体制成的半导体光电子元件)。

硅是应用最广泛的半导体，硅制成的集成电路已进入千家万户。但硅是间接带隙半导体，带隙宽度一定，限制了其应用的进一步扩展。“能带工程”随“能带工程”而来、随着对“材料工程”的深入研究，硅基异质结构应运而生，为切割能带、设计异质结构、调节电光性能、制造新功能设备提供了有力工具。硅基异质材料中，SiGe/Si是研究最多、最深入的材料。